SK하이닉스 美 5.6조 HBM 공장, 주민 소송 1건 합의 도달

SK하이닉스가 미국 인디애나주에 짓고 있는 40억 달러(약 5조6000억원) 규모의 첨단 패키징 공장 부지를 둘러싼 지역 주민의 반대 소송 중 1건이 합의에 도달했다. 공장 건설을 가로막던 법적 불확실성이 일부 해소되면서 2029년 하반기로 예정된 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산 계획도 한층 탄력을 받게 됐다.

11일 미국 인디애나주 라파예트 지역 매체 '베이스드 인 라파예트(Based in Lafayette)'에 따르면, SK하이닉스의 웨스트 라파예트 공장 부지 용도변경을 취소해 달라며 주민 칼 재니치와 숀 새서가 제기한 소송이 원고 측과 법정 합의에 도달한 것으로 전해졌다. 원고를 대리하는 아리 리핀스키 변호사는 이날 법정에서 "양측이 합의를 마무리하는 단계이며 조만간 법원에 관련 서류를 제출할 것"이라고 밝혔다.

해당 소송은 2025년 6월 제기됐다. 앞서 같은 해 5월 웨스트 라파예트 시의회는 SK하이닉스 공장이 들어설 121에이커(약 14만8000평) 부지의 용도를 단독주택용지에서 중공업용지로 변경하는 안건을 6대 3으로 통과시켰다. 이에 공장 부지에서 약 1마일(1.6km) 떨어진 곳에 거주하는 주민들은 시의회가 환경 오염, 안전 문제, 집값 하락 등에 대한 전문가들의 경고를 무시하고 권한을 남용했다며 시와 SK하이닉스, 부지 소유주인 퍼듀 연구재단(PRF)을 상대로 소송을 냈다.

이번 합의에도 불구하고 또 다른 주민 로라 윌리엄스가 같은 날 제기한 별도의 용도변경 취소 소송은 여전히 진행 중이다. 이 재판은 오는 12월 1일부터 3일간 열릴 예정이다. SK하이닉스와 시 측은 주민들이 제기한 피해 주장이 추측에 불과하다며 소송 기각을 요청했으나, 법원은 지난달 이를 기각하고 정식 재판을 진행하기로 결정했다.

SK하이닉스는 소송이 진행되는 가운데서도 지난 8월 27일 공장 착공식을 열고 기초 공사를 이어가고 있다. 이 공장은 SK하이닉스의 첫 미국 내 HBM 생산 기지로, 한국에서 만든 D램을 가져와 2.5D 및 3D 적층 등 첨단 패키징 공정을 거쳐 차세대 메모리를 생산하는 역할을 맡는다. SK하이닉스는 2028년 하반기 클린룸을 완공하고 2029년 하반기부터 HBM4E 양산에 들어갈 계획이다.

미국 정부는 SK하이닉스의 인디애나 공장 건설을 지원하기 위해 반도체법(CHIPS Act)에 따라 4억5800만 달러(약 6400억원)의 직접 보조금과 최대 5억 달러(약 7000억원)의 대출을 지원한다. 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 8월 착공식에서 "미국 내 투자와 협력을 확대해 미국 AI의 미래를 형성하는 가장 신뢰할 수 있는 파트너가 될 것"이라고 말했다.

※ 이 기사는 랑펀미디어 AI 시스템을 통해 수집된 정보를 바탕으로 작성되었습니다.